Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

ZnTe nanowires grown on GaAs(100) substrates by molecular beam epitaxy

In English

Författare

  • E. Janik
  • Janusz Sadowski
  • P. Dluzewski
  • S. Kret
  • L. T. Baczewski
  • A. Petroutchik
  • E. Lusakowska
  • J. Wrobel
  • W. Zaleszczyk
  • G. Karczewski
  • T. Wojtowicz
  • A. Presz
Visa allt

Summary, in English

ZnTe nanowires with an average diameter of about 30 nm and lengths above 1 mu m were grown on GaAs(100) substrate by molecular beam epitaxy. The growth process was based on the Au-catalyzed vapor-liquid-solid mechanism. A thin gold layer (3-20 angstrom thick) annealed in high vacuum prior to the nanowire growth was used as a source of catalytic nanoparticles. The nanowires are inclined about 55 degrees to the (100) substrate surface normal. They have a zinc-blende crystal structure and their growth axis is < 111 >.

Publiceringsår

2006

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Applied Physics Letters

Volym

89

Issue

13

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Institute of Physics (AIP)

Ämne

  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0003-6951