Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

A 35 fJ/bit-access Sub-VT Memory Using a Dual-Bit Area-Optimized Standard-cell in 65 nm CMOS

In English

Författare

Publiceringsår

2014

Språk

Engelska

Sidor

243-246

Publikation/Tidskrift/Serie

[Host publication title missing]

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Conference name

European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), 2014

Conference date

2014-09-22 - 2014-09-26

Conference place

Venice, Italy

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1930-8833