Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Mn enriched surface of annealed (GaMn)As layers annealed under arsenic capping

In English

Författare

  • M. Adell
  • J. Adell
  • L. Ilver
  • J. Kanski
  • J. Sadowski
  • J. Z. Domagala

Summary, in English

Using synchrotron radiation based spectroscopic methods we have investigated the surface modifications of Ga1-x Mnx As layers due to post growth annealing under amorphous arsenic capping layers. It is established that there is a clear increase of the Mn concentration at the surface after annealing. This is ascribed to a reaction between diffusing Mn interstitials and the As capping. The reacted surface is smooth and well ordered with a 1×2 reconstruction. All data indicate that the annealed (GaMn)As is terminated by a monolayer MnAs in zinc-blende structure.

Publiceringsår

2007-02-22

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics)

Volym

75

Issue

5

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Physical Society

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1098-0121