Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Scaling of Vertical InAs–GaSb Nanowire Tunneling Field-Effect Transistors on Si

In English

Författare

Summary, in English

We demonstrate improved performance due to enhanced electrostatic control achieved by diameter scaling and gate placement in vertical InAs-GaSb tunneling field-effect transistors integrated on Si substrates. The best subthreshold swing, 68 mV/decade at VDS=0.3 V, was achieved for a device with 20-nm InAs diamter. The on-current for the same device was 35 µA/µm at VGS=0.5 V and VDS=0.5 V. The fabrication technique used allows downscaling of the InAs diameter down to 11 nm with a flexible gate placement.

Publiceringsår

2016-05-05

Språk

Engelska

Sidor

549-552

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Electron Device Letters

Volym

37

Issue

5

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • HSQ
  • nanowire
  • III-V
  • TFET
  • transistor
  • InAs-GaSb

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nano Electronics

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0741-3106