Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Nanowire single-electron memory

In English

Författare

Summary, in English

We demonstrate storage of electrons in semiconductor nanowires epitaxially grown from Au nanoparticles. The nanowires contain multiple tunnel junctions (MTJs) of InP barriers and InAs quantum dots designed such that the metal seed particles act as storage nodes. By positioning a second nanowire close to the seed particle it is possible to detect tunneling of individual electrons through the MTJ at 4.2 K. A strong memory effect is observed in the detector current when sweeping the writing voltage.

Publiceringsår

2005

Språk

Engelska

Sidor

635-638

Publikation/Tidskrift/Serie

Nano Letters

Volym

5

Issue

4

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

The American Chemical Society (ACS)

Ämne

  • Nano Technology

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1530-6992