Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

InAs nanowires grown by MOVPE

In English

Författare

Summary, in English

Epitaxial growth of Au-assisted InAs nanowires using metal organic vapour phase epitaxy is investigated. The growth rate and morphology of nanowires as a function of growth temperature, substrate material and precursor flows are discussed. It is observed that tapering increases with both In and As precursor flows, but decreases with temperature. Finally, we report growth of InAs nanowires on both InAs and InP substrates, with those grown on InAs substrates exhibiting more tapered shape. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Publiceringsår

2007

Språk

Engelska

Sidor

631-634

Publikation/Tidskrift/Serie

Journal of Crystal Growth

Volym

298

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

Elsevier

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Nyckelord

  • semiconducting III-V
  • nanostructures
  • metalorganic vapour phase epitaxy
  • material

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0022-0248