Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Photoemission study of the valence band offset between low temperature GaAs and (GaMn)As

In English

Författare

  • M. Adell
  • J. Adell
  • L. Ilver
  • J. Kanski
  • J. Sadowski

Summary, in English

Using synchrotron based photoelectron spectroscopy (GaMn) AsGaAs interfaces prepared in situ by low temperature molecular beam epitaxy have been studied. No band offset between the two systems is observed. The continuous transition is explained as an effect of dilution of the (GaMn)As by GaAs adlayers.

Publiceringsår

2006

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Applied Physics Letters

Volym

89

Issue

17

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Institute of Physics (AIP)

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0003-6951