Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

High Transconductance Self-Aligned Gate-Last Surface Channel In0.53Ga0.47As MOSFET

In English

Författare

Summary, in English

In this paper we present a 55 nm gate length In0.53Ga0.47As MOSFET with extrinsic transconductance of 1.9 mS/mu m and on-resistance of 199 Omega mu m. T he self-aligned MOSFET is formed using metalorganic chemical vapor deposition regrowth of highly doped source and drain access regions. The fabricated 140 nm gate length devices shows a low subthreshold swing of 79 mV/decade, which is attributed to the described low temperature gate-last process scheme.

Publiceringsår

2011

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

IEEE Press

Ämne

  • Condensed Matter Physics
  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Conference name

IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

Conference date

2011-12-05 - 2011-12-07

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISBN: 978-1-4577-0505-2