Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

The influence of confining wall profile on quantum interference effects in etched Ga0.25In0.75As/InP billiards

Författare

Summary, in English

We present measurements of the potential profile of etched GaInAs/InP billiards and show that their energy gradients are an order of magnitude steeper than those of surface-gated GaAs/AlGaAs billiards. Previously observed in GaAs/AlGaAs billiards, fractal conductance fluctuations are predicted to be critically sensitive to the billiard profile. Here we show that, despite the increase in energy gradient, the fractal conductance fluctuations persist in the harder GaInAs/InP billiards. (C) 2004 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Publiceringsår

2003

Språk

Engelska

Sidor

179-184

Publikation/Tidskrift/Serie

Superlattices and Microstructures

Volym

34

Issue

3-6

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

Elsevier

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Nyckelord

  • wall profile
  • billiard
  • 2DEG
  • GaInAs/InP
  • FCF

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0749-6036