Javascript verkar inte påslaget? - Vissa delar av Lunds universitets webbplats fungerar inte optimalt utan javascript, kontrollera din webbläsares inställningar.
Du är här

Axial InP Nanowire Tandem Junction Grown on a Silicon Substrate

Publiceringsår: 2011
Språk: Engelska
Sidor: 2028-2031
Publikation/Tidskrift/Serie: Nano Letters
Volym: 11
Nummer: 5
Dokumenttyp: Artikel i tidskrift
Förlag: The American Chemical Society


Tandem InP nanowire pn-junctions have been grown on a Si substrate using metal-organic vapor phase epitaxy. In situ HCl etching allowed the different subcomponents to be stacked on top of each other in the axial extension of the nanowires without detrimental radial growth. Electro-optical measurements on a single nanowire tandem pn-junction device show an open-circuit voltage of 1.15 V under illumination close to 1 sun, which is an increase of 67% compared to a single pn-junction device.


  • Nano Technology


  • Nanometer structure consortium (nmC)-lup-obsolete
  • ISSN: 1530-6992

Box 117, 221 00 LUND
Telefon 046-222 00 00 (växel)
Telefax 046-222 47 20
lu [at]

Fakturaadress: Box 188, 221 00 LUND
Organisationsnummer: 202100-3211
Om webbplatsen