Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

A luminescence study of doping effects in InP-based radial nanowire structures

In English

Författare

Summary, in English

We have used micro-photo-and cathodo-luminescence at low temperatures to study the effects of sulphur doping in InP and radial InP/InAs/InP structured nanowires. Samples with pure wurtzite crystal structure, with modulated wurtzite/zincblende crystal structure and with different radial InAs growth times were investigated. We observed a doping concentration gradient along the nanowires, the location of segments of different crystal structure and thickness fluctuations on the monolayer scale of the InAs layer.

Publiceringsår

2013

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

18th Microscopy of Semiconducting Materials Conference (MSM XVIII)

Volym

471

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

IOP Publishing

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Conference name

18th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials

Conference date

2013-04-07 - 2013-04-11

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1742-6588
  • ISSN: 1742-6596