Javascript verkar inte påslaget? - Vissa delar av Lunds universitets webbplats fungerar inte optimalt utan javascript, kontrollera din webbläsares inställningar.
Du är här

Nanowire single-electron memory

Publiceringsår: 2005
Språk: Engelska
Sidor: 635-638
Publikation/Tidskrift/Serie: Nano Letters
Volym: 5
Nummer: 4
Dokumenttyp: Artikel i tidskrift
Förlag: The American Chemical Society


We demonstrate storage of electrons in semiconductor nanowires epitaxially grown from Au nanoparticles. The nanowires contain multiple tunnel junctions (MTJs) of InP barriers and InAs quantum dots designed such that the metal seed particles act as storage nodes. By positioning a second nanowire close to the seed particle it is possible to detect tunneling of individual electrons through the MTJ at 4.2 K. A strong memory effect is observed in the detector current when sweeping the writing voltage.


  • Nano Technology


  • ISSN: 1530-6992

Box 117, 221 00 LUND
Telefon 046-222 00 00 (växel)
Telefax 046-222 47 20
lu [at] lu [dot] se

Fakturaadress: Box 188, 221 00 LUND
Organisationsnummer: 202100-3211
Om webbplatsen