Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

InAs nanowire metal-oxide-semiconductor capacitors

In English

Författare

Summary, in English

We present a capacitance-voltage study for arrays of vertical InAs nanowires. Metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors are obtained by insulating the nanowires with a conformal 10 nm HfO2 layer and using a top Cr/Au metallization as one of the capacitor's electrodes. The described fabrication and characterization technique enables a systematic investigation of the carrier density in the nanowires as well as of the quality of the MOS interface.

Publiceringsår

2008

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Applied Physics Letters

Volym

92

Issue

25

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Institute of Physics (AIP)

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Linne Center for Nanoscience and Quantum Engineering
  • Nano

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0003-6951