Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Stationary and dispersive features in resonant inelastic soft X-ray scattering at the Ge 3p resonances

Författare

  • C. J. Glover
  • T. Schmitt
  • M. Mattesini
  • M. Adell
  • L. Ilver
  • J. Kanski
  • Lisbeth Kjeldgaard
  • M. Agaker
  • Nils Mårtensson
  • R. Ahuja
  • J. Nordgren
  • J. -E. Rubensson

Summary, in English

Resonant inelastic soft X-ray scattering at the 3p resonances in crystalline Ge is presented. Both stationary and dispersive features are observed in a wide energy range above as well as below the ionization limits. These observations are in agreement with theoretical predictions based on a two-step model where the initially excited electron has no influence on the emission step. Excess population of states in the conduction band is found, and discussed in terms of attosecond electron dynamics. (c) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

Publiceringsår

2009

Språk

Engelska

Sidor

103-107

Publikation/Tidskrift/Serie

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena

Volym

173

Issue

2-3

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

Elsevier

Ämne

  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Nyckelord

  • Spectroscopy
  • Semiconductors
  • Soft X-ray scattering (RIXS)
  • Ultrafast dynamics
  • Synchrotron radiation

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0368-2048