Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

A 15 GHz and a 20 GHz low noise amplifier in 90 nm RF CMOS

In English

Författare

  • Lars Aspemyr
  • Harald Jacobsson
  • Mingquan Bao
  • Henrik Sjöland
  • Mattias Ferndal
  • G Carchon

Summary, in English

The design and measured performance of two low-noise amplifiers at 15 GHz and 20 GHz realized in a 90 nm RF-CMOS process are presented in this work. The 15 GHz LNA achieves a power gain of 12.9 dB, a noise figure of 2.0 dB and an input referred third-order intercept point (IIP3) of -2.3 dBm. The 20 GHz LNA has a power gain of 8.6 dB, a noise figure of 3.0 dB and an IIP3 of 5.6 dBm. Compared to previously reported designs, these two LNAs show lower noise figure at lower power consumption.

Publiceringsår

2006

Språk

Engelska

Sidor

387-390

Publikation/Tidskrift/Serie

Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Elektronikkonstruktion

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISBN: 0-7803-9472-0