Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Core-level shifts on the H2O exposed Ge(100)2×1 surface

Författare

Summary, in English

Core-level spectroscopy and valence-band photoelectron spectroscopy were used to study the Ge(100)2×1 surface dosed with 0.5–100 L H2O at 160 K. It is determined that H2O adsorbs molecularly at 160 K and forms ice. The H2O molecules dissociate into H and OH radicals on the Ge(100)2×1 surface when the sample is heated to 300 K. A simple adsorption model that accounts for the calculated H and OH coverages is proposed.

Publiceringsår

1989

Språk

Engelska

Sidor

2044-2048

Publikation/Tidskrift/Serie

Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films

Volym

7

Issue

3

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Institute of Physics (AIP)

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • MEDIUM TEMPERATURE
  • LOW TEMPERATURE
  • PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY
  • CHEMISORPTION
  • ICE
  • WATER
  • SURFACE STRUCTURE
  • GERMANIUM
  • SURFACE REACTIONS
  • ELECTRON DIFFRACTION

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Electromagnetic theory

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1520-8559